弁言女同 做爱
2024年8 月 28 日至 8 月 30 日,外洋电力电子展PCIM Asia 2024在深圳外洋会展中心(宝安)宏大举行!展会同期还组织多场论坛和圆桌会议,践诺凡俗涵盖电动汽车、清洁动力、储能、WBG功率器件等范畴,共同琢磨电力电子范畴的新技巧发展、左右和参谋。
在展会上,罗姆半导体展示了其最新推出的功率级集成电路EcoGaN系列居品,该系列居品当今共有三款型号,分离是BM3G007MUV-LB 、BM3G015MUV-LB以及BM3G005MUV-LB,有助于兑现左右居品的袖珍化和更低的能量损耗。
ROHM 650V EcoGaN Power Stage IC
罗姆公司推出的650V EcoGaN Power Stage IC,是专为数据管事器、工业建立以及花费电子建立中的AC适配器等一次侧电源斥地的功率级集成电路。该居品集成了650V的GaN HEMT(高电子挪动率晶体管),并通过专用的栅极驱动器进一步阐发GaN HEMT的性能。同期,居品加多了新的功能和外围元件,不祥自满不同左右场景的需求。EcoGaN IC的想象不仅普及了全体系统的性能,还在体积和功耗方面推崇出色,尤其适用于需要高效功率束缚的建立。
与传统的Si MOSFET(超等结金属氧化物半导体场效应晶体管)比拟,EcoGaN IC的体积削弱了约99%,功率损耗则责难了55%,这使得左右居品在袖珍化和能量后果普及方面受益良多。此外,该IC扶直2.5V到30V的宽驱动电压边界,兼容一次侧电源的各式汗漫器IC,这意味着在将该GaN器件集成到现存有缠绵中时,无需对驱动电压进行大幅诊疗,从而简化了想象历程,责难了斥地资本。关于想象工程师而言,这极地面简化了责任,裁减了斥地周期。
EcoGaN IC在性能上也有显赫普及,其传输延伸仅为11纳秒至15纳秒,启动时候显赫裁减,使得系统反映更快,想象愈加方便。同期,芯片里面集成了电磁干涉(EMI)汗漫和优化的驱动波形,不仅能在不影响速率的情况下汗漫EMI,还具备电源和温度保护功能。这些高集成度的想象增强了电路的领悟性和可靠性,确保在尖刻的责任条款下也能握续高效早先。
该IC的想象特质还包括凡俗的输入电压边界和极低的静态电流,后者仅为150μA,保证了在轻负载情况下的高后果。此外,导通电压弯曲速率的可颐养性进一步简化了EMI想象,使得建立在电磁干涉和后果之间达成了优异的均衡。值得一提的是,IC只需少量的外部元件即可完成想象,这为斥地者带来了极大的便利。
EcoGaN Power Stage IC凡俗左右于花费类和工业建立的AC-DC弯曲器中,尤其适用于那些对袖珍化和高后果有严格要求的电源系统,如数据管事器、AC适配器、电视、工业自动化建立以及白色家电等。凭借其工整的尺寸、低功耗以及高集成度,EcoGaN IC为下一代电源管通晓决有缠绵提供了理念念的继承,匡助斥地者兑现更高的系统性能和可靠性。
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罗姆公司的650V EcoGaN Power Stage IC通过集成GaN HEMT和优化的栅极驱动器,显赫普及了电源束缚系统的性能。其工整的体积和低功耗上风,使得建立想象愈加紧凑,同期大幅降寂寞量损耗,为当代工业和花费电子建立的高效早先提供了强有劲的扶直。通过这一翻新想象,斥地者不错轻松兑现电源系统的袖珍化与高效化,相合现时市集对高性能、高可靠性电源治理有缠绵的需求。
此外,EcoGaN IC不仅简化了工程想象历程女同 做爱,还通过减少外围元件数目和优化传输延伸,普及了全体系统的反映速率和想象后果。凡俗的驱动电压边界与内置的EMI汗漫功能,使得该IC不祥在多种复杂的责任环境中保握零散的性能推崇,进一步增强了其左右的天真性和领悟性。
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